专利名称：一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置专利类型：发明专利发明人：张志强,黄振飞申请号：CN201110062659.6申请日：20110316公开号：CN102102219A公开日：20110622
摘要：本发明涉及太阳能单晶炉热场技术领域，特别是一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置，包括冷却器，冷却器为具有锥度的筒状，设置在热屏内侧。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却器的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。炉筒为一段独立的副炉筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本冷却装置结构设计合理，杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能，而且在热场中采用本冷却装置后强化对晶棒的冷却效果，从而增强晶棒纵向温度梯度，提高硅单晶的生长速度，达到快速生长单晶硅棒的目的。
申请人：常州天合光能有限公司
地址：213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
国籍：CN
代理机构：常州市维益专利事务所
代理人：王凌霄
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