专利名称：一种碳化硅单晶片的镀膜方法和装置专利类型：发明专利
发明人：李海飞,李百泉,何丽娟,张云伟申请号：CN201510005208.7申请日：20150106公开号：CN104498901A公开日：20150408
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶片的镀膜方法：1）将碳化硅晶片置于真空度为10Pa的石墨处理腔内；2）向石墨处腔内充入60000Pa惰性气体；3）通过感应线圈对石墨处理腔进行耦合加热,经过预定时间后缓慢降低石墨处理腔内的压力至1000Pa-3000Pa；4）维持石墨处理腔内的压力，向腔内充入惰性气体和甲烷气体，甲烷气体裂解后在碳化硅晶片表面形成碳膜。在籽晶表面沉积一层碳膜，在镀膜后的籽晶能够有效的克服上述单晶生长前期存在的缺点，根据PECVD方法的原理，方便地控制单晶片镀膜层的厚度，同时批量的进行籽晶镀膜，而无需进行大的设备改造，即可获得优异的单晶生长籽晶源。可以很大程度的提高单晶生长的前期质量。本发明还公开了实现上述镀膜方法的镀膜装置。
申请人：北京华进创威电子有限公司
地址：101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院
国籍：CN
代理机构：北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人：尹振启
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