（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010367545.1 （22）申请日 2020.04.30
（71）申请人 上海国瓷新材料技术有限公司
地址 201108 上海市闵行区春光路55号4幢409室
（10）申请公布号 CN111393646A
（43）申请公布日 2020.07.10
（72）发明人 刘欢;李智;彭冲;田琰;林德宝;宋锡滨
（74）专利代理机构 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 江莉莉
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种低介电、低损耗聚酰亚胺复合材料及制备方法与应用
（57）摘要
本发明属于有机高分子材料技术领域，具
体涉及一种适宜于5G体系应用的低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料，并进一步公开其制备方法与应用。本发明所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，基于水热合成的方式，利用氨基硅烷改性剂对介孔材料进行表面修饰改性，并将氨基修饰后的介孔材料引入到聚酰亚胺上，不仅有效提高了介孔材料与聚酰亚胺前驱体共混的分散均匀性和材料的成膜性，更有效降低
了聚酰亚胺材料的介电常数和介电损耗，提高了材料的介电性能。
法律状态
法律状态公告日
2020-07-10 2020-07-10 2020-08-04
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
法律状态
公开 公开
实质审查的生效
权利要求说明书
一种低介电、低损耗聚酰亚胺复合材料及制备方法与应用的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
一种低介电、低损耗聚酰亚胺复合材料及制备方法与应用的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容