专利名称：用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法专利类型：发明专利
发明人：让-马里·勒布伦,让-保罗·加朗代,让-米歇尔·米西安,
赛琳·帕斯卡
申请号：CN201480053567.3申请日：20140924公开号：CN105723525A公开日：20160629
摘要：本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。
申请人：原子能与替代能源委员会
地址：法国巴黎
国籍：FR
代理机构：北京同达信恒知识产权代理有限公司
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