电路计算题

1． 1． 写出图P1.9中各逻辑图的逻辑函数式，并化简为最简与或式。

2． 答案：

（a）YABCBCABCBC

（b）YACABBCABCABC （c）Y1ABACDABACD

Y2ABACDACDACDABACDACDACD

（d）Y1ABC(AB)ABABCABCABACBC

Y2(AB)C(AB)C(AB)CABCABCABCABC

2．求下列函数的反函数并化简为最简与或形式。 （1）YABC （2）Y(ABC)CD （3）Y(AB)(AC)ACBC

（4）YABCCD(ACBD) （5）YADACBCDC

EFGEFGEFGEFGEFGEFGEFGEFG

（6）Y答案：

（1）Y(AB)CACBC （2）YA(BC)CDACD

（3）Y[ABAC(AC)](BC)BC

YABCCD(ACBD)(AB)CCD(AC)(BD)（4）ABC（5）Y(AD)(AC)(BCD)CABCD

（6）先将Y化简为Y

EFEFEFEF1，故Y0

3．若主从结构RS触发器的CP、S、R、RD各输入端的电压波形如图P4.8所示，SD1，试画出Q、Q端对应的电压波形。

4．已知主从结构JK触发器J、K和CP的电压波形如图P4.9所示，试画出Q、Q端对应的电压波形。设触发器的初始状态为Q=0。

1235．已知逻辑函数如图T6.1-1的ROM阵列所示。求输出函数D3，D2，D1，D0，并化简。 m0m1m2m3m4m5m6m7m8m9A0A1A2A31111D3(A3,A2,A1,A0)m(5,6,7,8,9) A3A2A0A3A2A1A3A2A1D2(A3,A2,A1,A0)m(1,2,3,4,9)A3A2A0A3A2A1A2A1A0A3A2A1A0D1(A3,A2,A1,A0)m(0,3,4,7,8)D0D1D2D3A3A1A0A3A1A0A2A1A0D0(A3,A2,A1,A0)m(0,2,4,6,8)A3A0A2A1A06．如图A所示，试用4位二进制（16进制） 计数器芯片74161设计一个十三进制加法计数器。（不考虑进位输出）

解

(1)异步清0法

图A.1是用异步清0法构成的十三进制加计数器，可首先将计数脉冲CP加到CP输入端，将计数控制端EP，ET和置数控制端LD接高电平1，以使电路允许计数；然后用一个与非门实时监视计数器的状态，当计数到1101（即13（10））（此状态非常短暂）时，

与非门输出低电平，此低电平加到直接复位端RD上，立即将计数器强行复0。（异步复0）

(2)同步置0法 图A.2是用同步置0法构成的十三进制计数器。设计时，将计数脉冲CP加到CP输入端；将计数控制端EP，ET接高电平1（允许计数）；直接复位端RD接高电平1（不清0）；并行输入数据D3，D2，D1，D0均接低电平0；然后用一个与非门实时监视计数器的状态，当计数到1100（即12（10））时，与非门输出低电平，此低电平加到并行置数控制端LD上，使允许并行置数，所以下一个CP脉冲到达时计数器将被置为0000。

(3)同步置数法

图A.3是用同步置数法构成的十三进制计数器电路。 图中并行输入数据D3，D2，D1，D0设置为0011，当电路

LD=0，计数到1111时，C=1，非门输出低电平，下一个CP到达后电路状态即变为0011，然后变为0100→0101→0110…

直到1111。电路有13个状态，故为十三进制计数器。 它们的状态转换图如下：

Q3Q2Q1Q0 ／C 0000 ／0 0001 ／0 0010 ／0 0011 ／0 0100 ／0 0101 ／0 0110 ／0 ／1 图A1 图A2 ／0 ／0 图A3 0111 ／0 ／0 ／0 ／0 ／0 1111 ／0 1110 1101 1100 1011 1010 1001 1000

7．如图所示为由D触发器和J-K触发器组成的电路。试画出触发器输出端Q1、Q2的波形（设触发器初始状态均为0）。

8.如右图所示为由4选一数据选择器实现的函数F。 （1）试写出F的表达式。

（2）用3-8译码器74LS138及与非门实现函数F。 解：（1）

FABCABCABCABCm(0,3,4,7)

（2）由3－8译码器知： 将（1）式转换成：

Fm(0,3,4,7)m0m3m4m7m0m3m4m7令：A2 ＝A A 1＝B A0＝C 则：示：

FY0Y3Y4Y7 作图如右图所

Y0A2A1A0m0Y4A2A1A0m0

Y1A2A1A0m1Y5A2A1A0m5Y2A2A1A0m2Y6A2A1A0m6Y3A2A1A0m3Y7A2A1A0m7

模电部分： 一、一、填空题：

（1）在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体。

（2）三极管工作于饱和状态时，其发射结正向偏置，集电结 正 向偏置；三极管的C-E极之间相当于一个 闭合 的开关。

（3）结型场效应管和 耗尽 型绝缘栅场效应管在没有外加电压时，导电沟道也是存在的。 （4）测得某正常工作的单管放大电路中的晶体管T三个电极直流电压如右图所示，则引脚 B 是基极。

（5）PN结加反向电压时，空间电荷区将 变宽 （变宽或变窄） 。

（6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从10μA增大到20μA时，IC从1.2 mA变为2mA，那么它的β约为 80 。

（7）测得工作在放大区的某三极管的直流电位如图5所示。从而可判断出该管的管型是： NPN 型（NPN或PNP）以及所用的半导体材料为： 硅 （是硅还是锗）。

图5

图4

二、分析设计：

1、电路如下图(a)所示，稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适，ui的波形如图(b)所示，请画出uo的波形。

解：

★2．在下面图示电路中，已知VBB=1V , Vcc=12V，Rb= 24kΩ，Rc=5.1kΩ；晶体管的rbb’=100Ω, β=100,

导通时的UBEQ=0.7V。求解： (1)静态工作点Q ；  (2) Au、R和R

i

o 。